PJA3416AE_R1_00001
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 5A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道
PJA3416AE_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.5A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻34mΩ @ 5A,1.8V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
类型N沟道
PJA3416AE_R1_00001
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PJA3416AE_R1_00001 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 5A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 | PANJIT(强茂) |  | 389.32 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | PJA3416AE_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:34mΩ @ 5A,1.8V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 | 5+:¥0.494707 50+:¥0.36186 150+:¥0.337459 500+:¥0.313059 2500+:¥0.302214 5000+:¥0.296856
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