PJA3411_R1_00001
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 1.1A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道
PJA3411_R1_00001的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.1A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻190mΩ @ 1.1A,1.8V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W
类型P沟道
PJA3411_R1_00001
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| PJA3411_R1_00001 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 1.1A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道 | PANJIT(强茂) |  | 211.91 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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立创商城 | PJA3411_R1_00001 | PANJIT(强茂) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 1.1A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道 | 10+:￥0.272108
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