FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基
FET功能：逻辑电平门
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10.3A，17.9A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：6.5 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：9.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1150pF @ 15V
功率-最大值：1.1W，1.2W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-DFN（5x6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
封装形式Package：DFN
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：13.5A/23.4A
无铅情况/RoHs：否