制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:否

商标:ON Semiconductor

Id-连续漏极电流:2.3 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Rds On-漏源导通电阻:215 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :15 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.1 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Dual Dual Drain

下降时间:48 ns, 104 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:62 ns, 95 ns

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:52 ns, 47 ns

典型接通延迟时间:21 ns, 13 ns