标准包装：2,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.6A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：34 毫欧 @ 5.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：900pF @ 32V

功率 - 最大值：1.29W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

其它名称：NTMD6N04R2G-NDNTMD6N04R2GOSTR