FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.3A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.2nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：360pF @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

FET功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：770mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：95 毫欧 @ 3A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装形式Package：SOIC

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：4A

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：360pF @ 10V

FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：95 毫欧 @ 3A，10V

FET 类型：P 沟道

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.3A（Ta）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.2nC @ 4.5V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs