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NTLUD3A260PZTBG /ON Semiconductor/分立半导体产品
NTLUD3A260PZTBG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.3A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 2A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):300pF @ 10V

功率 - 最大值:500mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-UFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:6-UDFN(1.6x1.6)

供应商NTLUD3A260PZTBG
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTLUD3A260PZTBG深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城NTLUD3A260PZTBG深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTLUD3A260PZTBG深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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