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NTLUD3A260PZTAG的规格信息
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FET类型：2 个 P 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.3A

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：200 毫欧 @ 2A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.2nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：300pF @ 10V

功率-最大值：500mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN（1.6x1.6）

封装形式Package：UDFN

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：20V

连续漏极电流ID：1.7A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商NTLUD3A260PZTAG
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深圳市华芯盛世科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
深圳市芯幂科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897		蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市仓实科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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集好芯城NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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芯莱德电子（香港）有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市振钰科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3013号上步工业区23栋上航大厦410-I0755-85270799
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深圳市橙椒科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区华强北路宝华大厦座B座51113418830030，13418730030
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深圳市捷芯微科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦(金都)23B36309192
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深圳市星宇佳科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司NTLUD3A260PZTAG深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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NTLUD3A260PZTAGIGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 MON SemiconductorON Semiconductor的LOGO139.22 Kbytes共6页NTLUD3A260PZTAG的PDF下载地址无
NTLUD3A260PZTAGMOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFNON SemiconductorON Semiconductor的LOGO201.54 Kbytes共7页NTLUD3A260PZTAG的PDF下载地址无
NTLUD3A260PZTAG连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：双P沟道ON(安森美)ON(安森美)的LOGO133.53 Kbytes共6页NTLUD3A260PZTAG的PDF下载地址无
NTLUD3A260PZTAG的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		NTLUD3A260PZTAGON Semiconductor半导体 IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:￥1.131+:￥2.78
10+:￥2.03
100+:￥1.28
1000+:￥1.13
3000+:￥1.08
9000+:￥0.9901
24000+:￥0.96
45000+:￥0.94
99000+:￥0.93000+:￥1.02
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1000+:￥1.071+:￥1.14
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		NTLUD3A260PZTAGON Semiconductor半导体 IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:￥1.13
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		NTLUD3A260PZTAGON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN$0.57000
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		NTLUD3A260PZTAGON Semiconductor半导体 IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:￥1.131+:￥2.78
10+:￥2.03
100+:￥1.28
1000+:￥1.13
3000+:￥1.08
9000+:￥0.9901
24000+:￥0.96
45000+:￥0.94
99000+:￥0.93000+:￥1.02
6000+:￥1.02
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		NTLUD3A260PZTAGON Semiconductor半导体 IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:￥1.131+:￥2.78
10+:￥2.03
100+:￥1.28
1000+:￥1.13
3000+:￥1.08
9000+:￥0.9901
24000+:￥0.96
45000+:￥0.94
99000+:￥0.9
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		NTLUD3A260PZTAGON SemiconductorIGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M1:¥3.3787
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
元器件资料网-Rochester的LOGO
Rochester		NTLUD3A260PZTAGON Semiconductor半导体 IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:￥1.131+:￥2.78
10+:￥2.03
100+:￥1.28
1000+:￥1.13
3000+:￥1.08
9000+:￥0.9901
24000+:￥0.96
45000+:￥0.94
99000+:￥0.93000+:￥1.02
6000+:￥1.02100+:￥1.34
250+:￥1.23
500+:￥1.15
1000+:￥1.071+:￥1.141+:￥0.9
25+:￥0.89
50+:￥0.88
100+:￥0.87
300+:￥0.86
500+:￥0.85
1000+:￥0.8399
5000+:￥0.8399
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		NTLUD3A260PZTAGON Semiconductor半导体 IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M FET - 阵列 - 分立半导体产品3000+:￥1.131+:￥2.78
10+:￥2.03
100+:￥1.28
1000+:￥1.13
3000+:￥1.08
9000+:￥0.9901
24000+:￥0.96
45000+:￥0.94
99000+:￥0.93000+:￥1.02
6000+:￥1.02100+:￥1.34
250+:￥1.23
500+:￥1.15
1000+:￥1.07
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立创商城		NTLUD3A260PZTAGON(安森美)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：双P沟道1+:￥3.16
10+:￥3.07
30+:￥3.02
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