FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.2nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：531pF @ 10V

FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：710mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 2A，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：6-WDFN（2x2）

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs