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NTLJS3113PTAG /MOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2
NTLJS3113PTAG的规格信息
NTLJS3113PTAG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WDFN-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:5.8 A

Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.9 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

高度:0.75 mm

长度:2 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:2 mm

商标:ON Semiconductor

下降时间:17.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17.5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:6.9 ns

供应商NTLJS3113PTAG
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