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NTHL082N65S3F /MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
NTHL082N65S3F的规格信息
NTHL082N65S3F的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:81 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:313 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SuperFET III

封装:Tube

系列:SuperFET3

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:24 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:27 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:79 ns

典型接通延迟时间:27 ns

供应商NTHL082N65S3F
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