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NTHL040N65S3F /MOSFET SUPERFET3 650V TO247
NTHL040N65S3F的规格信息
NTHL040N65S3F的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:65 A

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:158 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:446 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:SuperFET3

晶体管类型:1 N-Channel SuperFET III MOSFET

商标:ON Semiconductor

下降时间:29 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:41 ns

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:101 ns

典型接通延迟时间:41 ns

供应商NTHL040N65S3F
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NTHL040N65S3FON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V TO2471:¥71.077
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25:¥61.246
100:¥53.1778
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NTHL040N65S3FON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):65A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 6.5mA 漏源导通电阻:40mΩ @ 32.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):446W(Tc) 类型:N沟道1+:¥26.1
10+:¥23.18
30+:¥22.72
100+:¥22.03