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NSV60101DMTWTBG /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
NSV60101DMTWTBG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:WDFN-6

晶体管极性:NPN

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:0.2 V

增益带宽产品fT:180 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:NSS60101DMT

直流电流增益 hFE 最大值:250

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:150

Pd-功率耗散:2.27 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:17 mg

供应商NSV60101DMTWTBG
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