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NPTB00004A /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN Si

增益:16 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:1.4 A

最大工作温度:+ 200 C

Pd-功率耗散:11.6 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

封装:Tray

工作频率:6 GHz

商标:MACOM

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms

工厂包装数量:1

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.6 V

单位重量:220 mg

供应商NPTB00004A
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