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NPT2022 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
NPT2022的规格信息
NPT2022的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN Si

增益:21 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:160 V

Vgs-栅源极击穿电压 :3 V

Id-连续漏极电流:24 mA

输出功率:100 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

安装风格:Screw Mount

封装:Tray

配置:Single

工作频率:2 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 85 C

商标:MACOM

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms

工厂包装数量:20

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.6 V

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NPT2022MACOMHEMT N-CH 48V 100W DC-2GHZ10 : $152.463
1 : $182.34
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NPT2022MACOM Technology SolutionsHEMT N-CH 48V 100W DC-2GHZActive
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NPT2022M/A-COM1+:¥1326.23
10+:¥1108.93
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