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NPT2021 /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
NPT2021的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN Si

增益:14.2 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:160 V

Vgs-栅源极击穿电压 :3 V

Id-连续漏极电流:14 mA

输出功率:45 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

安装风格:Screw Mount

封装 / 箱体:TO-272

封装:Tray

配置:Single

工作频率:2.5 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 85 C

商标:MACOM

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:340 mOhms

工厂包装数量:25

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.8 V

单位重量:2 g

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NPT2021MACOM Technology SolutionsHEMT N-CH 48V 50W DC-2.2GHZActive
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NPT2021M/A-COM1+:¥508.34
10+:¥425.0401
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NPT2021MACOM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT1:¥562.0846
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