图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:MACOM
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:是
晶体管类型:HEMT
技术:GaN Si
增益:13 dB
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Vgs-栅源极击穿电压 :3 V
Id-连续漏极电流:4 mA
最大工作温度:+ 200 C
Pd-功率耗散:44 W
安装风格:Screw Mount
封装:Tray
配置:Single
工作频率:4 GHz
商标:MACOM
P1dB - 压缩点:43 dBm
产品类型:RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻:440 mOhms
工厂包装数量:30
子类别:Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.8 V
单位重量:220 mg