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NPT1012B /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
NPT1012B的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:

晶体管类型:HEMT

技术:GaN Si

增益:13 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Vgs-栅源极击穿电压 :3 V

Id-连续漏极电流:4 mA

最大工作温度:+ 200 C

Pd-功率耗散:44 W

安装风格:Screw Mount

封装:Tray

配置:Single

工作频率:4 GHz

商标:MACOM

P1dB - 压缩点:43 dBm

产品类型:RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:440 mOhms

工厂包装数量:30

子类别:Transistors

Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.8 V

单位重量:220 mg

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NPT1012BMACOM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN1:¥1,078.6754
2:¥1,048.866
5:¥1,024.8196
10:¥994.9198