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NIMD6302R2 /双N沟道MOSFET
NIMD6302R2的规格信息
NIMD6302R2的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

封装:SOIC

功耗:1.30 W

漏源极电阻:50.0 mΩ

极性:N-Channel

漏源极电压(Vds):30V

栅源击穿电压:-16.0 V to 16.0 V

漏源击穿电压:30.0 V

连续漏极电流(Ids):6.50 A

安装方式:Surface Mount

包装方式:Reel

含铅标准:Contains Lead

RoHS标准:Compliant

产品生命周期:Not Listed by Manufacturer

供应商NIMD6302R2
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深圳市坤融电子有限公司NIMD6302R2航都大厦10I0755-23990975
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深圳市天卓伟业电子有限公司NIMD6302R2深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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13380394549		颜小姐Email:2881915365@qq.com询价
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NIMD6302R2HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO97.01 Kbytes共12页NIMD6302R2的PDF下载地址AO4900A,FDS9934C,AO4904,AO4906,NIF5002N,NIF62514,NID5001N,AO4914A,AO4916A,AO4914
NIMD6302R2HDPlus Dual N−Channel Self−protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO90.64 Kbytes共9页NIMD6302R2的PDF下载地址NID5001N_06,NID5003N_06,NIF5002N_06,NIF62514_06,NID5004N,NIF5003N,NCP5422A_06,EMA6DXV5T1,NCP5424_05,EMC2DXV5T1_05
NIMD6302R2_06HDPlus Dual N−Channel Self−protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO90.64 Kbytes共9页NIMD6302R2_06的PDF下载地址NID5001N_06,NID5003N_06,NIF5002N_06,NIF62514_06,NID5004N,NIF5003N,NCP5422A_06,EMA6DXV5T1,NCP5424_05,EMC2DXV5T1_05
NIMD6302R2的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		NIMD6302R2ON SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET$0.96000
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Rochester Electronics		NIMD6302R2ON SemiconductorN/A500 : $0.95
1,000 : $0.9
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