FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：52V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：250pF @ 35V
功率耗散（最大值）：1.69W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 2.6A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：SOT-223
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs