图像仅供参考,请参阅规格书
产品种类:MOSFET
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:40 V
闸/源击穿电压:+/- 16 V
漏极连续电流:6 A
导通电阻:90 mOhms
配置:Single Dual Drain
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-223
封装:Reel
商标:ON Semiconductor
下降时间:27 us
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:8.93 W
上升时间:11 us
工厂包装数量:1000
典型关闭延迟时间:32 us
ROHS: 无铅