FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：52V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，12V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：250pF @ 40V
Vgs（最大值）：±15V
功率耗散（最大值）：1.74W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：90 毫欧 @ 9A，12V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package：DPAK
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：59V
连续漏极电流ID：9A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs