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NGTB50N65S1WG /
NGTB50N65S1WG的规格信息
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IGBT 类型:沟道

电压 - 集射极击穿(最大值):650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):140A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):140A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.45V @ 15V,50A

功率 - 最大值:300W

开关能量:1.25mJ(开),530µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:128nC

25°C 时 Td(开/关)值:75ns/128ns

测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):70ns

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商NGTB50N65S1WG
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深圳市芯幂科技有限公司NGTB50N65S1WG深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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Mouser 贸泽电子
NGTB50N65S1WGON SemiconductorIGBT 晶体管 FSII 650V 45A WELDING1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472