RoHS：符合 RoHS

封装/外壳：TO-247

系列：NGTB40N120FL2

品牌：ON Semiconductor

安装风格：Through Hole

最低工作温度：- 55 C

标准包装数量：30

配置：Single

集电极-发射极最大电压VCEO：1200 V

集电极-发射极饱和电压：2 V

栅极发射机最大电压：30 V

连续集电极电流在25 C：80 A

栅射极漏电电流：200 nA

功率散耗：535 W

最高工作温度：+ 175 C

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：200A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.4V @ 15V，40A

功率 - 最大值：535W

开关能量：3.4mJ（开），1.1mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：313nC

25°C 时 Td（开/关）值：116ns/286ns

测试条件：600V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：240ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs