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NGTB40N65IHRTG /IGBT 晶体管 650V/40A MONOLITHIC RC IG
NGTB40N65IHRTG的规格信息
NGTB40N65IHRTG的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-3P

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

集电极—射极饱和电压:1.55 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:405 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Tube

商标:ON Semiconductor

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:30

子类别:IGBTs

单位重量:5.500 g

供应商NGTB40N65IHRTG
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Mouser 贸泽电子		NGTB40N65IHRTGON SemiconductorIGBT 晶体管 650V/40A MONOLITHIC RC IG1:¥22.1254
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