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NGTB40N120SWG /IGBT 晶体管 FSII 40A 1200V Welding
NGTB40N120SWG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

集电极—射极饱和电压:2 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:80 A

Pd-功率耗散:535 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:40 A

商标:ON Semiconductor

栅极—射极漏泄电流:200 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:30

子类别:IGBTs

单位重量:38 g

供应商NGTB40N120SWG
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NGTB40N120SWGON(安森美)栅极阈值电压-VGE(th):- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,40A 集电极电流(Ic)(最大值):80A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:沟道1+:¥40.18
10+:¥34.6
30+:¥33.57
100+:¥32.55
500+:¥32.09
1000+:¥31.53