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MTNK6N3 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道
MTNK6N3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)350mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻2Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)300mW

类型N沟道

供应商MTNK6N3
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MTNK6N3CYSTECH(全宇昕)连续漏极电流(Id)(25°C 时):350mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道20+:¥0.168113
200+:¥0.12695
600+:¥0.119389
2000+:¥0.111829
10000+:¥0.108468
20000+:¥0.106808