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MTN2310M3 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道
MTN2310M3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.8A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻55mΩ @ 4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型N沟道

供应商MTN2310M3
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现代芯城(深圳)科技有限公司MTN2310M3www.nowchip.com0755-27381274
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MTN2310M3CYSTECH(全宇昕)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道1+:¥1.3
10+:¥0.9754
30+:¥0.9157
100+:¥0.8561
500+:¥0.8296
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