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MTN7451Q8 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:73mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
MTN7451Q8的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)150V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.5A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻73mΩ @ 4.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W

类型N沟道

供应商MTN7451Q8
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MTN7451Q8CYSTECH(全宇昕)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:73mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道1+:¥2.97
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