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MTN3400N3 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道
MTN3400N3的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.8A

栅源极阈值电压1.4V @ 250uA

漏源导通电阻26mΩ @ 5.8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.38W

类型N沟道

供应商MTN3400N3
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现代芯城(深圳)科技有限公司MTN3400N3www.nowchip.com0755-27381274
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MTN3400N330V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]的LOGO657.42 Kbytes共7页MTN3400N3的PDF下载地址ZXM66N03N8,ZXMD65N03N8,ZXMN3A03E6_05,ZXMN3A04DN8_02,ZXMN3A06DN8_02,ZXMD63N03X_05,ZXMN3B14F_06,ZXM61N03F_04,ZXMN3F30FH,ZXMN3F31DN8
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MTN3400N3CYSTECH(全宇昕)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.38W 类型:N沟道5+:¥0.603562
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