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MRFE6VP100HR5 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
MRFE6VP100HR5的规格信息
MRFE6VP100HR5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Vds-漏源极击穿电压:141 V

增益:26 dB

输出功率:100 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-780-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:1800 MHz to 2000 MHz

系列:MRFE6VP100H

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

零件号别名:935319905178

单位重量:6.396 g

供应商MRFE6VP100HR5
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MRFE6VP100HR5Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品50+:¥525.71+:¥549.95
10+:¥497.5999
25+:¥486.34
50+:¥486.341+:¥674.181+:¥755.59
5+:¥655.56
10+:¥618.86
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50+:¥562.0150+:¥658.57
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MRFE6VP100HR5Freescale SemiconductorTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
RoHS : Compliant
50 : $95.924
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MRFE6VP100HR5Freescale SemiconductorRF FET - 分立半导体产品50+:¥525.71+:¥549.95
10+:¥497.5999
25+:¥486.34
50+:¥486.341+:¥674.181+:¥755.59
5+:¥655.56
10+:¥618.86
25+:¥582.1599
50+:¥562.01
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MRFE6VP100HR5NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4$154.98000
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Digi-Key 得捷电子
MRFE6VP100HR5FREESCALE SEMICONDUCTOR - NXPTRANS RF H-CH FET LDMOS NI78050 : $72.276
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Digi-Key 得捷电子
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MRFE6VP100HR5Freescale SemiconductorLDMOS RF 100W NI-780
RoHS : Compliant
1 : $750.200012
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element14 e络盟电子
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Mouser 贸泽电子
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10+:¥497.5999
25+:¥486.34
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
MRFE6VP100HR5NXP / Freescale射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM1:¥691.0967
5:¥677.7288
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25:¥627.5568
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Rochester
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10+:¥497.5999
25+:¥486.34
50+:¥486.341+:¥674.181+:¥755.59
5+:¥655.56
10+:¥618.86
25+:¥582.1599
50+:¥562.0150+:¥658.57
100+:¥641.33991+:¥455.86
25+:¥451.75
50+:¥447.64
100+:¥443.53
300+:¥435.32
500+:¥431.2101
1000+:¥427.1
5000+:¥425.05
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Rochester Electronics
MRFE6VP100HR5Freescale SemiconductorN/A500 : $73.38
1,000 : $69.71
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Verical
MRFE6VP100HR5Freescale SemiconductorTrans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R$69.7125