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MJE801 /达林顿晶体管
MJE801的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

最大集电极截止电流:100 uA

Pd-功率耗散:40 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-126

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJE801

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:4 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:750

增益带宽产品fT:1 MHz

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:200

子类别:Transistors

单位重量:761 mg

供应商MJE801
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400:¥32.7361
600:¥27.5042
1,000:¥25.9674