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MJE5851G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 350V 80W PNP
MJE5851G的规格信息
MJE5851G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:350 V

集电极—基极电压 VCBO:400 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:2 V

最大直流电集电极电流:8 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJE5851

高度:15.75 mm

长度:10.53 mm

封装:Tube

宽度:4.83 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:15

Pd-功率耗散:80 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:50

子类别:Transistors

单位重量:6 g

供应商MJE5851G
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深圳市芯幂科技有限公司MJE5851G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳和润天下电子科技有限公司MJE5851G深圳市南山区粤海街道滨海社区海天二路19号盈峰中心12A313378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市高捷半导体有限公司MJE5851G深圳市福田区航都大厦10层13352985419
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MJE5851G8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO104.82 Kbytes共8页MJE5851G的PDF下载地址D44VH,MJE171_06,MJE243_06,MJE5740_06,MJE270,MJD74C,2N6387_06,MJE700_06,2N6059_03,MJE172_03
MJE5851G的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		MJE5851GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 SWITCHMODE?? 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 8A 350V 80W PNP1+:￥21.74
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
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元器件资料网-Rochester的LOGO
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元器件资料网-Rochester Electronics的LOGO
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Verical		MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail$1.8519
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