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MJE800STU /达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
MJE800STU的规格信息
MJE800STU的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

最大直流电集电极电流:4 A

最大集电极截止电流:100 uA

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-126

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MJE800

封装:Tube

高度:11 mm

长度:8 mm

宽度:3.25 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min:750

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:1920

子类别:Transistors

单位重量:761 mg

供应商MJE800STU
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深圳市芯幂科技有限公司MJE800STU深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司MJE800STU深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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Arrow(艾睿)
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
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Rochester
MJE800STUFairchild Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington1+:¥4.87
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1920+:¥1.261+:¥1.451+:¥1.63
25+:¥1.62
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