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MJE5740G /
MJE5740G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类Transistors Darlington

配置Single

晶体管极性NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO300 V

发射极 - 基极电压 VEBO8 V

最大直流电集电极电流8 A

功率耗散2 W

最大工作温度+ 150 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-220-3

封装Tube

集电极连续电流8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min200, 50

最小工作温度- 65 C

工厂包装数量50

供应商MJE5740G
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MJE5740GNPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO87.39 Kbytes共6页MJE5740G的PDF下载地址2N6059_03,2N6387_06,MJE243_06,MJD44E3,MJD74C,D44VH,MJD18002D2,MJE270,MJE171_06,BDT64
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