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MJE5740G /
MJE5740G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类Transistors Darlington

配置Single

晶体管极性NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO300 V

发射极 - 基极电压 VEBO8 V

最大直流电集电极电流8 A

功率耗散2 W

最大工作温度+ 150 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-220-3

封装Tube

集电极连续电流8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min200, 50

最小工作温度- 65 C

工厂包装数量50

供应商MJE5740G
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深圳市芯幂科技有限公司MJE5740G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405+86-13267088774(微信同号)李昊skype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:lihao@xinmisc.com询价
深圳市三砖科技有限公司MJE5740G深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋58818823887255(微信同号)梁先生Email:22189018@qq.com询价
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深圳市春东电子有限公司MJE5740G深圳市福田区华强北路上步工业区五层工业厂房204栋五楼东520室0755-82563213 13423892590
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MJE5740GNPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO87.39 Kbytes共6页MJE5740G的PDF下载地址2N6059_03,2N6387_06,MJE243_06,MJD44E3,MJD74C,D44VH,MJD18002D2,MJE270,MJE171_06,BDT64
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