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MEM2310M3G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道
MEM2310M3G的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.8A

栅源极阈值电压1.4V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 5.8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W

类型N沟道

供应商MEM2310M3G
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MEM2310M3G连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道MICRONE(南京微盟)MICRONE(南京微盟)的LOGO328.52 Kbytes共7页MEM2310M3G的PDF下载地址
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MEM2310M3GMICRONE(南京微盟)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道5+:¥0.440808
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