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MEM2301XG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道
MEM2301XG的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.8A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻110mΩ @ 2.8A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)700mW

类型P沟道

供应商MEM2301XG
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