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MEM2307M3G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道
MEM2307M3G的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4.1A

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻88mΩ @ 4.1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W

类型P沟道

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MEM2307M3G连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道MICRONE(南京微盟)MICRONE(南京微盟)的LOGO754.51 Kbytes共5页MEM2307M3G的PDF下载地址
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MEM2307M3GMICRONE(南京微盟)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道10+:¥0.397328
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