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MEM2302XG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道
MEM2302XG的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A

栅源极阈值电压850mV @ 250uA

漏源导通电阻50mΩ @ 3A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)700mW

类型N沟道

供应商MEM2302XG
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MEM2302XG连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:850mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道MICRONE(南京微盟)MICRONE(南京微盟)的LOGO318.52 Kbytes共7页MEM2302XG的PDF下载地址
MEM2302XG-N连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道MICRONE(南京微盟)MICRONE(南京微盟)的LOGO364.13 Kbytes共6页MEM2302XG-N的PDF下载地址
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MEM2302XG-NMICRONE(南京微盟)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:130mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道20+:¥0.20781
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