特色产品：High-Power GaN L-Band Radar Transistor

标准包装：5

类别：分立半导体产品

家庭：RF FET

系列：-

包装：散装

晶体管类型：HEMT

频率：1.2GHz ~ 1.4GHz

增益：19.5dB

电压 - 测试：50V

额定电流：27A

噪声系数：-

电流 - 测试：500mA

功率 - 输出：500W

电压 - 额定：65V

封装/外壳：-

供应商器件封装：-

配用：1465-1475-ND - EVAL BOARD FOR MAGX-001214

其它名称：1465-1474