MAGX-000040-0050TP的供应商，MAGX-000040-0050TP规格参数，MAGX-000040-0050TP的PDF资料

MAGX-000040-0050TP /射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC

MAGX-000040-0050TP的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:13.5 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:50 V

Id-连续漏极电流:0.3 A

输出功率:5 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 95 C

Pd-功率耗散:12 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-89-3

封装:Reel

工作频率:4 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 95 C

类型:GaN SiC HEMT

商标:MACOM

正向跨导 - 最小值:0.1 S

产品类型:RF JFET Transistors

工厂包装数量:500

子类别:Transistors

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Mouser 贸泽电子	MAGX-000040-0050TP	MACOM	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC	500:¥197.0946

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