制造商:MACOM

产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶� 594 �管

RoHS:是

晶体管类型:HEMT

技术:GaN SiC

增益:19.8 dB

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:50 V

Vgs-栅源极击穿电压 :- 8 V

Id-连续漏极电流:17.2 A

输出功率:500 W

最大工作温度:+ 95 C

Pd-功率耗散:875W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:Ceramic-2

封装:Tray

商标:MACOM

配置:Common Source

正向跨导 - 最小值:12.5 S

最小工作温度:- 40 C

工作频率:960 MHz to 1.215 GHz

工作温度范围:- 40 C to + 95 C

工厂包装数量:25

Vgs th-栅源极阈值电压:- 3.1 V