MAGX-000035-09000P的供应商，MAGX-000035-09000P规格参数，MAGX-000035-09000P的PDF资料

MAGX-000035-09000P /M/A-Com Technology Solutions/分立半导体产品

MAGX-000035-09000P的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：High Power GaN in Plastic Portfolio

标准包装：10

类别：分立半导体产品

家庭：RF FET

系列：-

包装：散装

晶体管类型：HEMT

频率：3.5GHz

增益：13dB

电压 - 测试：50V

额定电流：6mA

噪声系数：-

电流 - 测试：200mA

功率 - 输出：14W

电压 - 额定：65V

封装/外壳：14-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：14-DFN（3x6）

配用：1465-1586-ND - EVAL BOARD FOR MAGX-000035-09000

其它名称：1465-1080

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型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
MAGX-000035-09000P	GaN on SiC D-Mode Transistor Technology Common-Source Configuration	MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]	314.8 Kbytes	共11页	无
MAGX-000035-09000P	GaN Wideband 90 W Pulsed Transistor in Plastic Package	MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]	1129.2 Kbytes	共11页	无
MAGX-000035-09000P_15	GaN Wideband 90 W Pulsed Transistor in Plastic Package	MA-COM[M/A-COM Technology Solutions, Inc.]	1129.2 Kbytes	共11页	无

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