LSH70R640GT的供应商，LSH70R640GT规格参数，LSH70R640GT的PDF资料

LSH70R640GT /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：640mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道

LSH70R640GT的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）700V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）7A

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻640mΩ @ 3.5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）83W

类型N沟道

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深圳市芯幂科技有限公司	LSH70R640GT	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
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深圳市博浩通科技有限公司	LSH70R640GT	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	LSH70R640GT	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
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LSH70R640GT	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：640mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道	LONTEN(龙腾半导体)		1.21 Mbytes	共14页		无

LSH70R640GT的全球分销商及价格

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立创商城	LSH70R640GT	LONTEN(龙腾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：640mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道	1+:￥3.4 10+:￥2.5 30+:￥2.33 100+:￥2.16 500+:￥2.09 1000+:￥2.05

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