LSH65R1K5HT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道
LSH65R1K5HT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻1.5Ω @ 1.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)30W(Tc)
类型N沟道
LSH65R1K5HT
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LSH65R1K5HT | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.16 Mbytes | 共12页 |  | 无 |
LSH65R1K5HT的全球分销商及价格
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 立创商城 | LSH65R1K5HT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥1.5099 10+:¥1.1101 30+:¥1.0366 100+:¥0.9632 500+:¥0.9306 1000+:¥0.9144
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