LSH65R930GT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:930mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
LSH65R930GT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻930mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)
类型N沟道
LSH65R930GT
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LSH65R930GT | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:930mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 1.14 Mbytes | 共11页 |  | 无 |
LSH65R930GT的全球分销商及价格
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 立创商城 | LSH65R930GT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:930mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.22 10+:¥1.63 30+:¥1.52 100+:¥1.41 500+:¥1.36 1000+:¥1.34
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