LSH65R950HT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:950mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:N沟道
LSH65R950HT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻950mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)40W
类型N沟道
LSH65R950HT
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LSH65R950HT | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:950mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 973.62 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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 立创商城 | LSH65R950HT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:950mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:N沟道 | 1+:¥2.21 10+:¥1.67 30+:¥1.57 100+:¥1.47 500+:¥1.43 1000+:¥1.41
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