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LSB65R180GF /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道

LSB65R180GF的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A(Tc)

栅源极阈值电压5V @ 250uA

漏源导通电阻180mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）205W(Tc)

类型N沟道

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LSB65R180GF及相关型号的PDF资料

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LSB65R180GF	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道	LONTEN(龙腾半导体)		1.16 Mbytes	共13页		无

LSB65R180GF的全球分销商及价格

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立创商城	LSB65R180GF	LONTEN(龙腾半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：205W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥10.97 10+:￥8.03 30+:￥7.49 100+:￥6.95 500+:￥6.71 1000+:￥6.6

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