LSB55R050GT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):550V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):290W(Tc) 类型:N沟道
LSB55R050GT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)550V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)60A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻50mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)290W(Tc)
类型N沟道
LSB55R050GT
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LSB55R050GT | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):550V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):290W(Tc) 类型:N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 849.41 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
LSB55R050GT的全球分销商及价格
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 立创商城 | LSB55R050GT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(Tc) 漏源电压(Vdss):550V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):290W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥15.75 10+:¥13.53 30+:¥13.13 100+:¥12.72 500+:¥12.54 1000+:¥12.31
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