LSB55R066GT
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：66mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道
LSB55R066GT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）550V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）45A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻66mΩ @ 22.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）278W(Tc)
类型N沟道
LSB55R066GT
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| LSB55R066GT | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：66mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道 | LONTEN(龙腾半导体) |  | 924.71 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
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立创商城 | LSB55R066GT | LONTEN(龙腾半导体) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：66mΩ @ 22.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：278W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥16.36
10+:￥11.98
30+:￥11.18
100+:￥10.37
500+:￥10.01
1000+:￥9.84
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