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LSB55R140GF /连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 漏源电压(Vdss):550V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):205W(Tc) 类型:N沟道
LSB55R140GF的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)550V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)23A(Tc)

栅源极阈值电压4.5V @ 250uA

漏源导通电阻140mΩ @ 11.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)205W(Tc)

类型N沟道

供应商LSB55R140GF
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LSB55R140GF连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 漏源电压(Vdss):550V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):205W(Tc) 类型:N沟道LONTEN(龙腾半导体)LONTEN(龙腾半导体)的LOGO1.17 Mbytes共11页LSB55R140GF的PDF下载地址
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LSB55R140GFLONTEN(龙腾半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A(Tc) 漏源电压(Vdss):550V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 11.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):205W(Tc) 类型:N沟道1+:¥11.4
10+:¥8.35
30+:¥7.79
100+:¥7.23
500+:¥6.98
1000+:¥6.85